柯恩指出，EUV曝光机堪称现代工程奇迹，它有两点令人印象深刻：一是 ASML与德国光学公司蔡司合作研发的镜片，若将镜片放大到与整个德国同等大小，整个镜面的误差不会超过1公厘；二是EUV的精准度之高，相当于从房屋发射雷射光束，并在月球上打乒乓球。

据劳伦斯利弗莫尔国家实验室的研究团队介绍，相比现有EUV光刻系统所采用的CO2激光器，BAT 激光器可以将 EUV能源效率提高约 10 倍。这可能会助力未来“beyond EUV”光刻系统能够生产更小、更强大、制造速度更快、耗电量更少的芯片。

近日，芯片制造领域传来重大消息：Rapidus开始安装ASML EUV光刻机，成为首家接收EUV光刻设备的日本半导体公司。这一举措无疑在全球芯片产业中掀起了波澜。 Rapidus安装首台ASML EUV光刻机 ...

美国劳伦斯利弗摩国家实验室（LLNL）正在研发拍瓦 ...

1月6日消息，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，旨在为极紫外 （EUV） 光刻技术的下一步发展奠定基础。该激光器的效率号称是目前ASML EUV光刻机中使用的二氧化碳（CO2）激光器 ...

在半导体制造行业，DUV（深紫外）光刻机可以用于制造7nm及以上工艺的芯片，涵盖了大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片，而ASML则凭借着对EUV光刻机和浸润式DUV光刻机的垄断，掌控着全球几乎所有晶圆厂的芯片制造命脉。 2024年4月，克里斯托夫·富凯（Christophe ...